Транзистор GES3566 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES3566. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
40MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
25
Коэффициент усиления (hFE)
150MIN
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GES3566 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее