Транзистор GES4400 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES4400. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
310mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
600mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
50/150
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать GES4400 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее