Транзистор GES4926 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES4926. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 50mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 30MHz
Коэффициент усиления (hFE): 20/200
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

2N4926

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.