Транзистор GES4927 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES4927. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
250V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
250V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
30MHz
Коэффициент усиления (hFE)
20/200
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GES4927 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее