Транзистор GES4930 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GES4930. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 20MHz
Коэффициент усиления (hFE): 20/200
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Medium Power, High Voltage

Аналоги

2N4930

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.