Транзистор GES5306 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES5306. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 400mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Ток коллектора (Iк): 300mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 25MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 7
Коэффициент усиления (hFE): 7000T
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Darlington, Medium Power

Аналоги

2N5306

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.