Транзистор GES5550R npn
Справочные характеристики биполярного транзистора GES5550R. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 200mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 160V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 140V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 600mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 100MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 10
- Коэффициент усиления (hFE)
- 90/300
- Производитель
- GENERAL SEMI
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Искать GES5550R в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.