Транзистор GES5812 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES5812. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 500mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Ток коллектора (Iк): 750mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 75MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 12
Коэффициент усиления (hFE): 150MIN
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N4401 BC387

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.