Транзистор GES5825 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES5825. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 360mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 50MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 4
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: GENERAL SEMI
Применение: Low Power, General Purpose

Аналоги

2N3904 BC347A

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.