Транзистор GES6012 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GES6012. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Ток коллектора (Iк)
800mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
75MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
12
Коэффициент усиления (hFE)
200MIN
Производитель
GENERAL SEMI
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GES6012 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее