Транзистор GET4 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GET4. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 6V
Ток коллектора (Iк): 35mA
Температура перехода (Tj): 60єC
Граничная частота (Fгр): 1.3MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 40
Коэффициент усиления (hFE): 50MIN
Производитель: GEN
Применение: Low Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.