Транзистор GI3392 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GI3392. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4.5V
Температура перехода (Tj): 125єC
Ёмкость коллектора (Cк): 10
Коэффициент усиления (hFE): 500MIN
Производитель: GI

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.