Транзистор GI3638 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GI3638. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Температура перехода (Tj): 125єC
Граничная частота (Fгр): 250MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 20
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: GI

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.