Транзистор GI3706 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GI3706. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 2V
Температура перехода (Tj): 125єC
Граничная частота (Fгр): 100MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 12
Коэффициент усиления (hFE): 300MIN
Производитель: GI

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.