Транзистор GME4001 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GME4001. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 40MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 3
Коэффициент усиления (hFE): 60MIN
Производитель: PHILIPS

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.