Транзистор GME6003 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GME6003. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
360mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
12
Коэффициент усиления (hFE)
30MIN
Производитель
PHILIPS
Искать GME6003 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее