Транзистор GS2017A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GS2017A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 10W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 250V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 250V
Ток коллектора (Iк): 200mA
Температура перехода (Tj): 140єC
Граничная частота (Fгр): 80MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40/240
Производитель: STE

Искать GS2017A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.