Транзистор GS8550T pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора GS8550T. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 625mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 40V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 25V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 800mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 100MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 9
- Коэффициент усиления (hFE)
- 45/135
- Производитель
- GENERAL SEMI
- Применение
- Small Signal Transistors
Искать GS8550T в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.