Транзистор GSDR10025I npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GSDR10025I. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 100W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 300V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 250V
Ток коллектора (Iк): 15A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 25MHz
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: N/A

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.