Транзистор GT1079 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT1079. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 2.5V
Ток коллектора (Iк): 50mA
Температура перехода (Tj): 100єC
Граничная частота (Fгр): 11MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 14
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: GI
Применение: Low Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.