Транзистор GT125E pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT125E. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 20V
Ток коллектора (Iк): 300mA
Температура перехода (Tj): 90єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Коэффициент усиления (hFE): 45/90
Производитель: RUSSIA
Применение: Medium Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.