Транзистор GT1608 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT1608. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
125mW
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
100єC
Граничная частота (Fгр)
4.5MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
14
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
GI
Применение
Low Power, General Purpose
Искать GT1608 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее