Транзистор GT308V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT308V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 9V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 120MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8
Коэффициент усиления (hFE): 80/200
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

2N1683 2N1854 2N2048 2N2048A 2N2400 2N796 2N838 AF106

В справочнике: 8 из 8. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.