Транзистор GT311D pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT311D. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
12V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
70єC
Граничная частота (Fгр)
600MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2.5
Коэффициент усиления (hFE)
60/180
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency
Искать GT311D в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее