Транзистор GT311E pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT311E. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
12V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
12V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
70єC
Граничная частота (Fгр)
250MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2.5
Коэффициент усиления (hFE)
20/80
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT311E в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее