Транзистор GT320V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT320V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 9V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 70єC
Граничная частота (Fгр): 160MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8
Коэффициент усиления (hFE): 80/250
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

2N1427 2N2635 2N2786 2N3883 2N705 2N705A 2N710 2N710A 2N711A 2N711B 2N968 2N969 2N970 2N971 2N972 2N973 2N974 2N975 2N976 2N977 2N982 2N983 2N984 2N985 2N994 T1740 T2331 T2352 TI898

В справочнике: 29 из 29. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT320V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.