Транзистор GT321B pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора GT321B. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 160mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 60V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 50V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 4V
- Ток коллектора (Iк)
- 500mA
- Температура перехода (Tj)
- 85єC
- Граничная частота (Fгр)
- 60MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 80
- Коэффициент усиления (hFE)
- 40/120
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Low Power High Frequency
Искать GT321B в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.