Транзистор GT323V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT323V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
80єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
30
Коэффициент усиления (hFE)
80/200
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency
Искать GT323V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее