Транзистор GT329A npn
Справочные характеристики биполярного транзистора GT329A. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 50mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 10V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 5V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 1V
- Ток коллектора (Iк)
- 10mA
- Температура перехода (Tj)
- 80єC
- Граничная частота (Fгр)
- 1.2GHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 2
- Коэффициент усиления (hFE)
- 15/300
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Low Power High Frequency
Искать GT329A в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.