Транзистор GT329B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT329B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 50mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 10V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 5V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 80єC
Граничная частота (Fгр): 1.6GHZ
Ёмкость коллектора (Cк): 3
Коэффициент усиления (hFE): 15/300
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

2N5043

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.