Транзистор GT330D npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT330D. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 50mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 80єC
Граничная частота (Fгр): 500MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 3
Коэффициент усиления (hFE): 30/400
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.