Транзистор GT330J npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT330J. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 50mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 1GHz
Ёмкость коллектора (Cк): 3
Коэффициент усиления (hFE): 30/400
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

AF279 AF279S

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.