Транзистор GT330V npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT330V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
50mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
13V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
13V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
80єC
Граничная частота (Fгр)
500MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2
Коэффициент усиления (hFE)
80/400
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency
Искать GT330V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее