Транзистор GT335A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT335A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 19V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 80єC
Граничная частота (Fгр): 300MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8.5
Коэффициент усиления (hFE): 40/70
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power High Frequency

Аналоги

2G414 2G415 2N559 2SA229 2SA230 2SA253

В справочнике: 6 из 6. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.