Транзистор GT335B npn
Справочные характеристики биполярного транзистора GT335B. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 200mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 19V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 3V
- Ток коллектора (Iк)
- 20mA
- Температура перехода (Tj)
- 80єC
- Граничная частота (Fгр)
- 300MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 8.5
- Коэффициент усиления (hFE)
- 60/100
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Low Power High Frequency
Искать GT335B в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.