Транзистор GT5117 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT5117. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 120mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 75єC
Граничная частота (Fгр): 40MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 8
Коэффициент усиления (hFE): 20MIN
Производитель: GI

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.