Транзистор GT600 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора GT600. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
250W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
85V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Ток коллектора (Iк)
60A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
30/60
Производитель
GI
Искать GT600 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее