Транзистор GT760 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT760. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
100єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
14
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
GI
Искать GT760 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее