Транзистор GT806G pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT806G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 30W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 15A
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 10/100
Производитель: RUSSIA
Применение: High Power, High Voltage

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.