Транзистор GT8101 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT8101. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 120W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 12A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 750MIN
Производитель: GI
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.