Транзистор HEPG0001 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPG0001. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 100єC
Граничная частота (Fгр): 200MHz
Коэффициент усиления (hFE): 85MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.