Транзистор HEPG0009 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPG0009. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 24V
Ток коллектора (Iк): 350mA
Температура перехода (Tj): 100єC
Коэффициент усиления (hFE): 80MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.