Транзистор HEPS0008 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS0008. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 310mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 135єC
Граничная частота (Fгр): 440MHz
Коэффициент усиления (hFE): 35MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.