Транзистор HEPS3032 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS3032. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 10W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Ток коллектора (Iк): 2A
Температура перехода (Tj): 140єC
Граничная частота (Fгр): 100MHz
Коэффициент усиления (hFE): 140MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.