Транзистор HEPS5000 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS5000. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
40W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
140єC
Граничная частота (Fгр)
2MHz
Коэффициент усиления (hFE)
60MIN
Производитель
CDIL
Искать HEPS5000 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее