Транзистор HEPS5013 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS5013. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
6W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
4MHz
Коэффициент усиления (hFE)
85MIN
Производитель
CDIL
Искать HEPS5013 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее