Транзистор HEPS5020 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS5020. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 125W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 325V
Ток коллектора (Iк): 10A
Температура перехода (Tj): 140єC
Граничная частота (Fгр): 2.5MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.