Транзистор HEPS5022 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS5022. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
1.8W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
275MHz
Коэффициент усиления (hFE)
85MIN
Производитель
CDIL
Искать HEPS5022 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее