Транзистор HEPS5022-R pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS5022-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1.8W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 600mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 275MHz
Коэффициент усиления (hFE): 85MIN
Производитель: CDIL
Применение: Medium Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.