Транзистор HEPS5024 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS5024. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 4W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 350V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 325V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 25MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.